9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N457ATR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N457ATR参考价格$4.44。onsemi 1N457ATR包装/规格：DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35。您可以下载1N457ATR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N457ATR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N457A_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@60V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供70V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，电容Vr F为8pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N457A是DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在70V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，该DO-35提供速度特性，如小信号=，包装设计为散装工作，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@70V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为150mA，电容Vr F为8pF@0V，1MHz。
1N4579A-1是DIODE ZENER 6.4V 500MW DO35，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，设计用于在50欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-55°C~100°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备提供±5%的容差，该设备具有6.4V的电压齐纳标称Vz。
