9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S3DHM6G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3DHM6G参考价格为0.372美元。台湾半导体公司S3DHM6G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载S3DHM6G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3D-E3/9AT是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于S3D-E3/57T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，2.5A时Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
S3D-E3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@2.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，它提供了2.5A时1.15 V的正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-214AB，（SMC）供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2.5μs，该设备的恢复时间为2500 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，零件别名为S3D-E3/9AT，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为Single，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
带有电路图的S3DBTR，包括60pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为SMB（DO-214AA），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.2V@3A。
