9icnet为您提供由onsemi设计和生产的DSK10B-BT，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DSK10B-BT参考价格为0.07000美元。onsemi DSK10B-BT包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL。您可以下载DSK10B-BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DSILC6-4SC6是TVS DIODE 5VWM SOT666，包括DSI系列，它们设计用于转向（轨对轨）型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等终端式功能，包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及表面安装安装型，该设备也可以用作通用应用。此外，信道数为4信道，该设备在SOT-666供应商设备包中提供，该设备具有4个双向信道，电压反向间隔类型为5V，电压击穿最小值为6V，功率峰值脉冲为90W，电源线保护为Yes，电容频率为2.5pF@1MHz，Pd功耗为90W，其最大工作温度范围为+125℃，击穿电压为6V，Cd二极管电容为2.5pF，工作电压为5V，极性为双向，Ipp峰值脉冲电流为5A。
DSK10B-AT1是DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供包装功能，如磁带和卷轴（TR），它的工作温度结范围为150°C（最大值），该设备也可用作通孔安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供10μA@100V电流反向泄漏Vr，该器件具有1A的电流平均整流Io。
DSK10B是DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备提供100V电压DC反向Vr Max，该设备具有1.1V@1A电压正向Vf Max If。
