9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1BL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。S1BL价格参考0.504美元。台湾半导体公司S1BL封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA。您可以下载S1BL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1BHE3_A/H，带有引脚细节，包括S1B系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1BHE3_A/I带有用户指南，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于S1B，以及1.8μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1BHE3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC，SMA包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为1.8μs，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
