9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-ETH3007T-N3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-ETH3007T-N3参考价格为0.36美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-ETH3007T-N3封装/规格：DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC。您可以下载VS-ETH3007T-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-ETH1506STRL-M3是DIODE HYPERFAST 15A D2PAK，包括Automotive、AEC-Q101、FRED PtR系列，设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.063493盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μa@600V，电压正向Vf Max If为2.45V@15A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为15A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为0.01 uA，If正向电流为15 A，最大浪涌电流为160 A，恢复时间为29 ns。
VS-ETH1506STRR-M3是DIODE HYPERFAST 15A D2PAK，包括600 V Vr反向电压，它们设计用于在2.45V@15A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max，提供1.8 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.063493盎司，以及to-263AB（D2PAK）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，恢复时间为29 ns，该设备为超快恢复整流器产品，该设备具有胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大浪涌电流为160 A，Ir反向电流为0.01 uA，如果正向电流为15 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μA@600V，电流平均整流Io为15A，配置为单一。
带电路图的VS-ETH1506STRRHM3，包括15A电流平均整流Io，它们设计为在15μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，该产品是超快恢复整流器，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有供应商设备包的TO-263AB（D2PAK），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为2.45V@15A。
