9icnet为您提供由onsemi设计和生产的RD0506T-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RD0506T-TL-H参考价格为0.492美元。onsemi RD0506T-TL-H包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA。您可以下载RD0506T-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RD0506T-H是DIODE GEN PURP 600V 5A TP，包括散装封装，设计用于to-251-3短引线、IPak、to-251AA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TP等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.6V@5A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RD0506LS-SB-1H带用户指南，包括1.6V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220全包的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，该器件也可作为TO-220-2全封装外壳使用，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为5A。
RD0506LS-SB5是DIODE GEN PURP 5A TO220FI，包括5A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有供应商设备包的TO-220FI（LS）-SB，电压正向Vf Max If为1.6V@5A。
