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SB1003M3-TL-W(带引脚细节),包括SB1003M3/TL-W系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于SC-70、SOT-323,提供Si等技术特性,安装类型设计用于表面安装,以及3-MCPH供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,二极管类型为肖特基二极管,该器件提供15μA@16V电流反向泄漏Vr,该器件的正向电压Vf Max If为530mV@1A,直流反向电压Vr Max为30V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为10ns,电容Vr F为27pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 125°C,其最大工作温度范围为+125℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为530 mV,Ir反向电流为15 uA,If正向电流为1 A,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为10 A,trr反向恢复时间为10 ns。
SB1003M3-TL-E是肖特基二极管和整流器肖特基二极管1A 30V,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在0.48V Vf正向电压下工作,trr反向恢复时间如数据表注释所示,用于10ns,提供Si等技术特性,该系列设计用于SB1003M3,以及肖特基二极管产品,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为MCPH-3,该器件为SMD/SMT安装型,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为15 uA,Ifsm正向浪涌电流为10 A,If正向电流为1 A。
SB1003M-TL-E,带有SANYO制造的电路图。SB1003M-TL-E采用MCPH6封装,是IC芯片的一部分。