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CD1005-B0230是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005,包括肖特基二极管产品,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装外壳功能,如1005(2512公制),技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作1005供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备以小信号=速度提供,该设备具有二极管类型的肖特基,电流反向泄漏Vr为30μa@30V,电压正向Vf Max If为500mV@200mA,电压直流反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA,电容Vr F为12pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-40°C~125°C,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为0.5 V,30 V时Ir反向电流为30 uA,如果正向电流为0.2 A,Vrm重复反向电压为35 V,Ifsm正向浪涌电流为3 A。
CD1005-B0520是DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005,包括30 V Vrm重复反向电压,其设计为在1A正向电压Vf Max下工作550mV。如果数据表注释中显示了用于20V的直流反向电压Vr Max,其提供了0.5 V等正向电压特性,技术设计为在Si中工作,以及1005供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,该产品为肖特基二极管,该器件采用胶带和卷轴(TR)封装,该器件具有1005(2512公制)封装外壳,其工作温度结范围为-40°C~125°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最低工作温度范围为-40℃,它的最大工作温度范围为+125 C,Ir反向电流在20 V时为100 uA,Ifsm正向浪涌电流为2 A,If正向电流为0.5 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为100μA@220V,电流平均整流Io为500mA,配置为单,电容Vr F为100pF@0V,1MHz。
CD1005-S01575是DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005,包括4pF@1V,100MHz电容Vr F,它们设计用于150MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于2.5μa@75V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-40°C~125°C,该设备也可以用作1005(2512公制)包装箱。此外,该封装为Digi-ReelR交替封装,该器件以4ns反向恢复时间trr提供,该器件具有小信号=速度,供应商器件封装为1005,电压DC反向Vr Max为75V,电压正向Vf Max If为1V@50mA。
CD1005-B0240是二极管肖特基40V 200MA 1005,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于表面安装安装型,速度如数据表注释所示,用于小信号=,提供二极管型功能,如肖特基,正向电压Vf Max If设计用于550mV@200MA,以及40V直流反向电压Vr Max,其工作温度结范围为-40°C~125°C。此外,电流平均整流Io为200mA,该器件提供12pF@10V,1MHz电容Vr F,该器件具有10μa@30V电流反向泄漏Vr,封装外壳为1005(2512公制),供应商器件封装为1005。