9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VF20120SG-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VF20120SG-E3/45参考价格为0.526美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VF20120SG-E3/45封装/规格：DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB。您可以下载VF20120SG-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VF20120S-E3/45是DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.060671盎司，安装样式设计用于通孔，以及TMBS商品名，该设备也可以用作to-220-3全包装，隔离标签包装箱。此外，该技术为Si，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的ITO-220AB，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为300μa@120V，电压正向Vf Max If为1.12V@20A，电压反向Vr Max为120V，电流平均整流Io为20A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-20 C，Vf正向电压为1.03 V，Ir反向电流为300 uA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为120 V，Ifsm正向浪涌电流为200A。
VF20120S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB，包括120 V Vrm重复反向电压，它们设计为以1.12V@20A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于120V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.03 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.060671盎司，以及TMBS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商的设备包装为ITO-220AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为管，包装箱为TO-220-3全包装，隔离标签，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为300 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为20 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为300μA@120V，电流平均整流Io为20A，配置为单双阳极。
VF20120SG，带有VISHAY制造的电路图。VF20120SG采用TO-220封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
