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JATX1N6661是DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/587系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在225V时为50nA，设备提供的电压正向Vf最大值为1V@400mA。如果设备具有225V的电压直流反向Vr最大值，电流平均整流Io为500mA，则其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N6662是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO35，包括1V@400mA正向电压Vf Max。如果它们设计用于400V直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/587，除了散装包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50nA@400V，电流平均整流Io为500mA。
JATX1N6661US带有电路图，包括500mA电流平均整流Io，它们设计为在50nA@225V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，a封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/587，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有供应商设备包的D-5A，电压DC反向Vr最大值为225V，电压正向Vf最大值为1V@400mA。
