9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的ES1ALHRQG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1ALHRQG参考价格为0.344美元。台湾半导体公司ES1ALHRQG封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA。您可以下载ES1ALHRQG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ES1ALHRQG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ES1AHE3_A/H带有引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于胶带和卷轴(TR)替代包装,其工作温度范围为-55 C至+150 C,包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型,该设备也可以用作DO-214AC(SMA)供应商设备包。此外,速度快速恢复=200mA(Io),该器件为标准二极管类型,该器件具有5μa@50V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf Max If为920mV@1A,电压直流反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为25ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为920 mV,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为1 A,最大浪涌电流为30 A,恢复时间为15 ns。
带有用户指南的ES1AHE3_A/I,包括920mV@1A正向电压Vf Max,如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行,数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为DO-214AC,SMA,其工作温度结范围为-55°C~150°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
ES1AHE3/61T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC,包括10pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@50V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供25ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-214AC(SMA),电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为920mV@1A。