9icnet为您提供由WeEn Semiconductors设计和生产的BYC30-1200PQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYC30-1200PQ价格参考1.308美元。WeEn半导体BYC30-1200PQ包装/规格：二极管GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC。您可以下载BYC30-1200PQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BYC30-1200PQ价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYC20X-600PQ是DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F，包括管封装，设计用于to-220-2全封装、隔离凸片封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220F，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.5V@20A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BYC30W-600PQ带用户指南，包括2.75V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在22ns内运行，该器件也可作为TO-247-2封装盒使用，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为30A。
BYC30WT-600PQ，带电路图，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为175°C（最大值），以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为22ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-247-3，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为2.75V@30A。
