9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1DHE3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1DHE3/5AT参考价格为0.4699美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1DHE3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载US1DHE3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如US1DHE3/5AT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
US1DFA带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为950 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1DF，带有TOSHIBA/VISHAY制造的用户指南。US1DF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
US1D-F，带有LITEON制造的电路图。US1D-F采用SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
