9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5816，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2016年1月1日参考价格3.46美元。Microchip Technology JAN1N5816包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA。您可以下载JAN1N5816英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5811带引脚细节的RS，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、B等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及B、SQ-MELL供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@150V电流反向泄漏Vr，该器件具有875mV@4A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JAN1N5811US是DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF，包括875mV@4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于B、SQ-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及30ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为60pF@110V，1MHz。
JAN1N5814是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA，包括300pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于20A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于底盘，螺柱安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱。此外，包装是散装的，该设备以35ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装是DO-203AA（DO-4），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为950mV@20A。
