9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1JHE3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1JHE3/5AT参考价格$6.06。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1JHE3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC。您可以下载US1JHE3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1JFA，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装类型功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.7V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1JFL-TP是DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf最大值下工作1.7V。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr最大值，提供供应商设备包功能，如DO-221AC（SMA-FL），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作50ns恢复时间。此外，该产品是超快恢复整流器，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有DO-221AC、SMA扁平封装引线，工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度结范围为-65℃至175℃，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@600V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
US1JF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1JF采用SMAF封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
