9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1KHE3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1KHE3/5AT参考价格为0.438美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1KHE3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC。您可以下载US1KHE3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1K-E3/61T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括US1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如US1K-E3/3AT，单位重量设计为0.00739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
带用户指南的US1KFA，包括800V Vr反向电压，其设计为在1.7V@1A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了800V中使用的直流反向Vr Max，提供了1.7 V等Vf正向电压特性。供应商设备包设计为在SOD-123FA中运行，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123W，其工作温度范围为-55℃至+150℃，其工作结温范围为-55℃至150℃，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1KF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1KF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
