9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的USB260HE3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。USB260HE3/5BT参考价格为0.436美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division USB260HE3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA。您可以下载USB260HE3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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USB260-E3/5BT是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-214AA SMB封装盒，安装类型如数据表说明所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.6V@2A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
USB260HE3/52T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括1.6V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为30ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为2A。
USB260-E3/52T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.6V@2A。
