9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N645-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日645-1参考价格$0.302。Microchip Technology JAN1N645-1包装/规格:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35。您可以下载JAN1N645-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N6391是DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA,包括军用MIL-PRF-19500/553系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱,提供了底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A(DO-4),该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1.5mA@45V,该器件提供680mV@50A电压正向Vf Max。如果,该器件具有45V电压反向Vr Max,电流平均整流Io为22.5A,电容Vr F为2000pF@5V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
JAN1N6392是DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO213AA,包括680mV@60A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-203AB(DO-5),提供快速恢复=200mA(Io)等速度特性,除了散装包装外,该器件还可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件采用底座螺柱安装型,该器件具有二极管肖特基型,电流反向泄漏Vr为2mA@45V,电流平均整流Io为54A,电容Vr F为3000pF@5V,1MHz。
JAN1N6351US带有电路图,包括2.16 mm高,设计用于4.95 mm长的操作,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装外壳功能,如B-SQ-MELF-2,封装设计用于散装,以及2.16 mm宽。