9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N645UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N645UR-1参考价格$1.75。Microchip Technology JATX1N645UR-1包装/规格：DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213。您可以下载JATX1N645UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6391是DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/553系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1.5mA@45V，该器件提供680mV@50A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为22.5A，电容Vr F为2000pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
JATX1N6392是DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5，包括680mV@50A电压正向Vf Max。如果它们设计为在45V电压直流反向Vr Max下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AB（DO-5），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/554以及散装包装，该器件也可作为DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳使用，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为底座螺柱安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为2mA@45V，电流平均整流Io为54A，电容Vr F为3000pF@5V，1MHz。
JATX1N645-1是二极管GEN PURP 225V 400MA DO35，包括400MA电流平均整流Io，它们设计为在225V电流反向泄漏Vr下工作50nA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/240，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有DO-35供应商设备包，电压直流反向Vr最大值为225V，电压正向Vf最大值为1V@400mA。
