9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGF1CHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGF1CHE3/67A参考价格为0.79美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGF1CHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA。您可以下载EGF1CHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如EGF1CHE3/67A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
EGF1CHE3/5CA是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.003668盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214BA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214BA（GF1），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGF1C-E3/67A是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214BA（GF1）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
EGF1C-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。EGF1C-E3/61T采用DO-214AC/SMA封装，是IC芯片的一部分。
