9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGF1DHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGF1DHE3/67A参考价格为0.32美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGF1DHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA。您可以下载EGF1DHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGF1DHE3/5CA是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.003668盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214BA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214BA（GF1），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGF1D-E3/67A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，其提供了1V正向电压功能，单位重量设计为0.003668盎司，以及DO-214BA（GF1）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERECTFIERR，该器件提供50ns反向恢复时间trr，该器件具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
EGF1D-E3/67，带有VISHAY制造的电路图。EGF1D-E3/67采用SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
