9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL34GHE3/98，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL34GHE3/98参考价格$6.092。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL34GHE3/98包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213。您可以下载EGL34GHE3/98英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL34GHE3/83是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AA（玻璃）包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AA（GL34），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.35V@500mA，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.35 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为50ns。
EGL34G-E3/98是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.35V@500MA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.35 V等Vf正向电压特性，以及DO-213AA（GL34）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-213AA（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为10 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500 mA，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@400V，平均整流电流Io为500 mA，并且配置为Single，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
EGL34G-E3/83是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213，包括7pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于500MA，提供电流反向泄漏Vr功能，如5μa@400V，二极管类型设计用于标准，以及500MA如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供10 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AA（玻璃），包装为磁带和卷轴（TR），产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；系列为SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AA（GL34），单位重量为0.001199盎司，Vf正向电压为1.35V，电压DC反向Vr最大值为400V，电压正向Vf Max If为1.35V@500mA，Vr反向电压为400V。
