9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1BHE3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1BHE3/61T参考价格为0.398美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1BHE3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载ES1BHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1BE-TP是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于DO-214AC、SMA包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为975mV@1A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
ES1BHE3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括920mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为25ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
ES1BF，电路图由东芝/VISHAY制造。ES1BF采用SMAF封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
