9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1JR2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。S1JR2参考价格为0.66美元。台湾半导体公司S1JR2封装/规格：1A，600V，玻璃钝化SMD R。您可以下载S1JR2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1J-M3/61T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC，包括S1x系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A C（SMA），以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1J-M3/5AT，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在600V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1JM RSG是整流器1A 600V微型SMA整流器，包括SMD/SMT安装型，设计用于Micro-SMA-2封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
S1J-NL，带有TSC制造的EDA/CAD模型。S1J-NL采用DO-214A封装，是IC芯片的一部分。
