9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1MR2,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。S1MR2参考价格为0.47美元。台湾半导体公司S1MR2封装/规格:1A,1000V,玻璃钝化SMD。您可以下载S1MR2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1M-M3/5AT,带有引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计为与DO-214AC、SMA包装箱一起操作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包功能,如DO-214AA(SMA),速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA(Io)以及标准二极管类型下工作,该器件还可以用作5μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,该器件提供1000V(1kV)电压直流反向Vr Max,该器件具有1A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为1.8μs,电容Vr F为12pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1M-M3/61T是DIODE GPP 1A 1000V DO-214AC,包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V(1kV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-214AA(SMA)中使用的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为1.8μs,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@1000V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为12pF@4V,1MHz。
S1M-NL,电路图由TSC制造。S1M-NL采用DO-214A封装,是IC芯片的一部分。