9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2BHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2BHE3/52T参考价格为1.23美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2BHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA。您可以下载ES2BHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES2B-E3/5BT是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表中显示了用于ES2B-E3/52T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为18pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为900mV，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为50ns。
ES2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括100V Vr反向电压，它们设计为在900mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向Vr Max，该100V提供Vf正向电压功能，如900mV，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，零件别名为ES2B-E3/5BT，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@100V，平均整流电流Io为2A，并且配置为Single，电容Vr F为18pF@4V，1MHz。
ES2BF，电路图由东芝/VISHAY制造。ES2BF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
