9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2GHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2GHE3/52T参考价格为0.552美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2GHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA。您可以下载ES2GHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES2G-E3/5BT是DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于ES2G-E3/52T的零件别名，该ES2G-E5/52T提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为35ns。
ES2GF，带有TOSHIBA/VISHAY制造的用户指南。ES2GF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
ES2G-F，带有VISHAY制造的电路图。ES2G-F采用DO-214AA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
