9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3BEE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3BEE3/57T参考价格为0.584美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3BEE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB。您可以下载ES3BEE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3B-E3/9AT是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表中显示了用于ES3B-E3/57T的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.010582盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为900mV，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为50ns。
ES3B-E3/57T是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，包括100V Vr反向电压，它们设计为在900mV@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向Vr Max，该100V提供Vf正向电压功能，如900mV，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备提供50ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，零件别名为ES3B-E3/9AT，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@100V，平均整流电流Io为3A，并且配置为Single，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES3BBF，电路图由东芝/VISHAY制造。ES3BF以SMAF封装形式提供，是IC芯片的一部分。
