9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3GHE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3GHE3/57T参考价格为0.556美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3GHE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB。您可以下载ES3GHE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3G-E3/9AT是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表中显示了用于ES3G-E3/57T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为50ns。
带有SK制造的用户指南的ES3GF。ES3GF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
ES3G-F，带有LITEON制造的电路图。ES3G-F采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
