9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH1DHE3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH1DHE3/61T参考价格为0.64美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH1DHE3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载ESH1DHE3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH1D-E3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为900mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为35 ns。
ESH1DHE3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括900mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为25ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为1A。
ESH1D R3是整流器1A 200V SUPER FAST SMT整流器，包括SMD/SMT安装型，设计用于DO-214AC-2包装箱，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.001199盎司。
