9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH2BHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH2BHE3/52T参考价格为0.31美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH2BHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA。您可以下载ESH2BHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006349盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB、，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电压正向Vf Max If为930mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为930 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为60 A，恢复时间为55 ns。
ESH2B-E3/5BT是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括100V Vr反向电压，设计用于在930mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，该100V提供了930mV的正向电压特性，单位重量设计用于0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以55ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为60 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μA@100V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
ESH2BA R3是整流器1A 100V SUPER FAST SMT整流器，包括SMD/SMT安装型，设计用于DO-214AC-2包装箱，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.001199盎司。
