9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的US1AHR3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1AHR3G参考价格为1.56美元。台湾半导体公司US1AHR3G封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载US1AHR3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1AFA带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表注释中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为950 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1A-E3/5AT是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为US1x，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为US1A-E3/61T，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1A-E3/61T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，例如10μa@50V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可作为10 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大浪涌电流为30 A，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，其工作温度结区范围为-55℃~150℃，封装外壳为DO-214AC，SMA，包装为Digi-ReelR替代包装，零件别名为US1A-E3/5AT，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；系列为US1x，速度为快速恢复=20mA（Io）；供应商设备包装为DO-214AC（SMA），单位重量为0.003739盎司，Vf正向电压为1 V，且电压DC反向Vr Max为50V，且电压正向Vf Max If为1V@1A，且Vr反向电压为50V。
US1AF，带有TOSHIBA/VISHAY制造的EDA/CAD模型。US1AF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
