9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH2PB-E3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH2PB-E3/84A参考价格为0.608美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH2PB-E3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA。您可以下载ESH2PB-E3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH2DHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AA，SMB的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AB（SMB）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@200V，该器件提供930mV@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带用户指南的ESH2D-M3/52T，包括930mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
带有电路图的ESH2D-M3/5BT，包括30pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供35ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为930mV@2A。
