9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH2PBHE3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH2PBHE3/84A参考价格为0.416美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH2PBHE3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA。您可以下载ESH2PBHE3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ESH2D-M3/5BT，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMB封装盒一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件还可以用作2μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为930mV@2A，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
ESH2PB-E3/84A是DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA，包括980mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
ESH2PB-E3/85A是DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA，包括25pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供25ns反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为980mV@2A。
