9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH3DHE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH3DHE3/57T参考价格$6.37。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH3DHE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载ESH3DHE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH3D-E3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为55 ns。
ESH3D-E3/9AT是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括200V Vr反向电压，它们设计为在900mV@3A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供Vf正向电压功能，如900mV，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为40ns，该设备以55ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
ESH3D是由VISHAY制造的“整流器3A”。ESH3D采用DO-214AA-2封装，是IC芯片的一部分，支持“整流器3A、整流器3A、200V、SUPER FAST Surf Mt Rect”。
