9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GF1DHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GF1DHE3/67A参考价格为0.328美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GF1DHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA。您可以下载GF1DHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GF1D-E3/67A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003668盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERECTFIER商品名，该装置也可用作DO-214BA包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214BA（GF1）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为3000ns。
GF1DHE3/5CA是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214BA（GF1）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了2μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A。
GF1D-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。GF1D-E3/61T采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
