9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSR10F40QNXT5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSR10F40QNXT5G参考价格为0.322美元。onsemi NSR10F40QNXT5G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2DSN。您可以下载NSR10F40QNXT5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSR10F20NXT5G是二极管肖特基20V 1A 2DSN，包括NSR10F220NX系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于2-XFDFN，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为2-DSN（1.4x0.6），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为100μa@220V，电压正向Vf Max If为450mV@1A，电压反向Vr Max为20V，电流平均整流Io为1A（DC），其工作温度结范围为150°C（最大值），Pd功耗为1.47 W，Vf正向电压为430 mV，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为20 V，Ifsm正向浪涌电流为18 A。
NSR10F30NXT5G是DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN，包括30 V Vrm重复反向电压，其设计为在1A电压正向Vf Max下以470mV运行。如果数据表备注中显示了用于30V的直流反向Vr Max，其提供了420 mV等Vf正向电压特性，技术设计为在Si中工作，以及2-DSN（1.4x0.6）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为NSR10F30NX，该器件为肖特基二极管产品，该器件具有1.47W的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-XFDFN，其工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Ir反向电流为20uA，Ifsm正向浪涌电流为18A，If正向电流为1A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@30V，电流平均整流Io为1A（DC）。
带有电路图的NSR10F30QNXT5G，包括1A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100μa@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 125°C，以及2-XDFN封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为NSR10F30QN，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的2-DSN（1.4x0.6），直流反向电压Vr最大值为30V，正向电压Vf最大值If为470mV@1A。
