9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS260HE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS260HE3/52T参考价格0.52美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS260HE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA。您可以下载MURS260HE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS260-E3/5BT是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006349盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.45V@2A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为75ns，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.45 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为75 ns。
MURS260-E3/52T是DIODE RECT 2A 600V 50NS DO-214AA，包括1.45V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMB），提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为75ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为2A。
MURS260-E3S/5BT，带有VISHAY制造的电路图。MURS260-E3S/5BT采用DO214AA封装，是IC芯片的一部分。
