9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS360HE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS360HE3/57T参考价格$2.428。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS360HE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载MURS360HE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS360-E3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007443盎司，提供SMD/SMT等安装型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.28 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为4 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为75 ns。
MURS360-E3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.25 V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.28 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.007443盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为4 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@600V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
MURS360BT3G是DIODE GEN PURP 600V 3A SMB，包括单一配置，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于3μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于3A，以及3 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为100 A，最小工作温度范围是-65℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，封装盒为DO-214AA，SMB，封装为Digi-ReelR交替封装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为75ns，反向恢复时间trr为75ns；系列为MURS360BT3G，速度为快速恢复=20mA（Io）；供应商设备包为SMB，单位重量为0.006349oz，Vf正向电压为1.25V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A，Vr反向电压为600V。
