9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MURS160T3H，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MURS160T3H价格参考2.818美元。onsemi MURS160T3H包装/规格：DIODE GEN用途。您可以下载MURS160T3H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURS160-M3/5BT，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-214AA、SMB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
MURS160-M3/52T是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括1.25V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA（SMB），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为2A。
MURS160LT3G，电路图由ON/DIODES制造。MURS160LT3G采用SMB/1808封装，是IC芯片的一部分。
