9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVS1504T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVS1504T3G价格参考2.752美元。onsemi NRVS1504T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB。您可以下载NRVS1504T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVHPM220T3G，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于DO-216AA，以及表面安装型，该设备也可以用作Powermite供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有500nA@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.05V@2A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为500 mA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为50 ns。
带有用户指南的NRVHPD660T4G，包括3V@6A电压正向Vf Max，如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DPAK的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为30μa@600V，电流平均整流Io为6A。
带有电路图的NRVHPM120T3G，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-216AA封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为Powermite，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
