9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1GHM3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1GHM3/61T参考价格为0.245美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1GHM3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载S1GHM3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1GHE带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于2-SMD、扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SOD-323HE，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，设备提供1.1V@1A电压正向Vf Max。如果，设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为782ns，电容Vr F为3pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的S1GFL，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计用于400V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如SOD-123F中使用的数据表注释所示，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计用于AEC-Q101汽车，以及2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOD-123F，其工作温度结范围为-50°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
S1GHE3/5AT是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
