9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V10WM100-M3/I,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。V10WM100-M3/I价格参考2.746美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V10WM100-M3/I封装/规格:DIODE SCHOTTKY 10A 100V DPAK。您可以下载V10WM100-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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V10WL45-M3/I带有引脚细节,包括V10WL45系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表注释所示,用于卷筒,提供单位重量功能,如0.013404盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TMBS商标,该设备也可以用作to-252-3、DPak(2引线+标签)、SC-63包装盒。此外,该技术为Si,该器件为表面安装安装型,该器件具有TO-252,(D-Pak)供应商器件封装,配置为单一,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为1.7mA@45V,电压正向Vf Max If为570mV@10A,电压反向Vr Max为45V,电流平均整流Io为10A,其工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为0.49 V,Ir反向电流为1.7 mA,如果正向电流为10 A,Vrm重复反向电压为45 V,Ifsm正向浪涌电流为100A。
V10PN50-M3/86A是DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277A,包括50V Vrm重复反向电压,它们设计为在550mV@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了50V中使用的直流反向电压Vr Max,提供单位重量功能,如0.003527盎司,商品名设计用于TMBS,以及Si技术,该设备也可以用作TO-277A(SMPC)供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该设备提供eSMPR、TMBSR系列,该设备具有肖特基产品整流器,包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为TO-277,3-PowerDFN,其工作温度结范围为-40°C~150°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-40℃,最大工作温度范围+150℃,Ifsm正向浪涌电流为180 A,如果正向电流为10 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为1.5mA@50V,电流平均整流Io为10A。
V10PN50-M3/87A是二极管肖特基50V 5.3A TO277A,包括5.3A电流平均整流Io,它们设计为在1.5mA@50V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-277,3-PowerDFN包装盒,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,速度是快速恢复=200mA(Io),该设备在TO-277A(SMPC)供应商设备包中提供,该设备具有50V的电压DC反向Vr Max,电压正向Vf Max If为550mV@10A。
V10PN50-M3/86,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。V10PN50-M3/86采用TO-277封装,是二极管、整流器-单体的一部分。