9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JAN1N5822,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。5822年1月参考价格0.508美元。Semtech Corporation JAN1N5822包装/规格:肖特基二极管40V,3A,/620。您可以下载JAN1N5822英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5816是DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA,包括军用MIL-PRF-19500/478系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装盒,提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,供应商设备包设计用于DO-203A(DO-4),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@150V,该器件提供950mV@20A电压正向Vf Max。如果,该器件具有150V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为20A,反向恢复时间trr为35ns,电容Vr F为300pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N5819UR-1,带有用户指南,包括490mV@1A正向电压Vf Max,如果设计用于45V电压DC反向电压Vr Max,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-213AB,提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/586,以及散装包装,该器件也可用作DO-213AB、MELF封装盒,其工作温度结范围为-65°C~125°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为50μa@45V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为70pF@5V,1MHz。
带有电路图的JAN1N5819-1,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在50μa@45V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供安装型功能,如通孔,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,该装置也可以用作散装包装。此外,该系列为军用MIL-PRF-19500/586,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有DO-41供应商设备包,直流反向电压Vr最大值为45V,正向电压Vf最大值为490mV@1A。