轴向引线整流器
该系列在大面积金属硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。最先进的几何特征是铬阻挡金属，具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管中的整流器。
特色
极低VF、低存储电荷、多数载流子传导、低功耗/高效率这些都是无铅器件*
1N5819HW-7-G
- 描述:二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 40伏 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: SOD-123 工作结温: -65摄氏度~125摄氏度
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥12.58816
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.59
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规格参数
- 二极管种类 肖特基
- 速度 快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 表面安装
- 整流平均值 (Io) 1A
- 最大直流反向电压 (Vr) 40伏
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 1 mA@40 V
- 工作结温 -65摄氏度~125摄氏度
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 电容@Vr、法数 50皮法 @ 4V, 1MHz
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 450 mV @ 1 A
- 包装/外壳 钠-123
- 供应商设备包装 SOD-123
- 部件状态 过时的
1N5819HW-7-G 产品详情
1N5819HW-7-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | 1N5655A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 70.1V 最大钳位电压: 113伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥105.49284 |
| 1N5635A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 10.2伏 最大钳位电压: 16.7伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥106.03606 |
 | 1N5555/TR | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 30.5伏 最大钳位电压: 47.5伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥113.85839 |
| 1N5630A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 6.4V 最大钳位电压: 11.3伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
| 1N5632A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 7.78V 最大钳位电压: 13.4伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
1N5819HW-7-G所属分类：单整流二极管，1N5819HW-7-G 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N5819HW-7-G价格参考￥12.588160，你可以下载 1N5819HW-7-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N5819HW-7-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
