9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JANS1N643US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JAN1N6643美国参考价格为1.056美元。Semtech Corporation JANS1N6643US包装/规格：3A ULTRA FAST 75V。您可以下载JANS1N6643美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JANS1N638是DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204，包括军用MIL-PRF-19500/578系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了DO-204AH、DO-35、轴向安装型，具有通孔、速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管型，该器件也可以用作500nA@125V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，该器件提供125V电压直流反向Vr Max，该器件具有300mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4.5ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JANS1N6642是DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH，包括1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/578、反向恢复时间trr等系列功能，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
带有电路图的JANS1N6640，包括300mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/609系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
JANS1N636US，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于军用MIL-PRF-19500/356系列，数据表注释中显示了用于E、轴向的包装箱，提供了E、轴向等供应商设备包装功能。包装设计用于散装，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件还可以用作5W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为4.7V，该器件提供20μA@1V电流反向泄漏Vr，该器件具有2欧姆阻抗最大Zzt，电压正向Vf最大If为1.5V@1A，公差为±5%。
