9icnet为您提供NXP USA Inc.设计和生产的BAS216115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS216115参考价格$0.4。NXP USA Inc.BAS216115包装/规格：二极管GEN PURP 75V 250MA SOD2。您可以下载BAS216115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS2103WE6433HTMA1是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于SC-76、SOD-323包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供PG-SOD323-2等供应商设备包功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS2103WE6327HTSA1是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-SOD323-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS216，带有NXP制造的电路图。BAS216采用SOD110封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
