9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1PJHM3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1PJHM3/84A参考价格为0.446美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1PJHM3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA。您可以下载RS1PJHM3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1PJ-E3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于DO-220AA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-220A（SMP），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@600V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS1PJHE3/84A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR，以及250ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为9pF@4V，1MHz。
RS1PJHE3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括9pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供250ns反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.3V@1A。
