9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVBS230LT3G-VF01，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVBS230LT3G-VF01参考价格为0.3244美元。onsemi NRVBS230LT3G-VF01包装/规格：DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMB2。您可以下载NRVBS230LT3G-VF01英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVBM140T1G是DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE，包括POWERMITER系列，它们设计用于肖特基整流器产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供了SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-216AA，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Powermite，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@40V，电压正向Vf Max If为550mV@1A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为1A，它的工作温度结范围为-55°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-55 C，3 A时Vf正向电压为0.85 V，Ir反向电流为0.5 mA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为50 A。
NRVBM140T3G是DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE，包括550mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于POWERMITE的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件也可以用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~125°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为500μa@40V，电流平均整流Io为1A。
带有电路图的NRVBM2H100T3G，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，以及DO-216AA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列是POWERMITER，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的Powermite，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为680mV@2A。
