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NRVB8H100MFSWFT1G,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表说明中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为使用5-DFN、8-SO扁平引线(5x6),该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为2μA@100V,该器件提供900mV@8A电压正向Vf Max。如果,该器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为8A,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的NRVB8H100MFSWFT3G,包括900mV@8A正向电压Vf Max,如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作,则数据表说明中显示了供应商设备包,用于5-DFN、8-SO扁平导线(5x6),提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了磁带和卷轴(TR)交替封装外,该器件还可以用作8功率TDFN、5引线封装盒,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型肖特基二极管,电流反向泄漏Vr为2μa@100V,电流平均整流Io为8A。
带有电路图的NRVBA120ET3G,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在500nA@5V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及DO-214AC,SMA封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,该系列为MBRA120ET3,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的SMA,电压DC反向Vr Max为20V,电压正向Vf Max If为595mV@2A。